IR2110SPBF vs IR2112S 比較

IR2112SとIR2110SPBFの詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察が得られます。RoHS指令準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。詳細については、データシートを参照するか、当社の営業チームにお問い合わせください。お客様の設計に最適な部品の選択をお手伝いいたします。
仕様
IR2112S

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4810 個数 | インフィニオンテクノロジーズ
IR2110SPBF

+BOM

7475 個数 | インフィニオンテクノロジーズ
パッケージ SOIC 16W
説明 IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 16SOIC IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16SOIC
Part Status Obsolete Active
Base Product Number IR2112 -
Digi Key Programmable Not Verified -
Driven Configuration High-Side, Low-Side Half-Bridge
Channel Type Independent Independent
Number of Drivers 2 2
Gate Type IGBT, MOSFET (N-Channel) IGBT, N-Channel MOSFET
Voltage - Supply 10V ~ 20V 3.3V ~ 20V
Logic Voltage - VIL, VIH 6V, 9.5V -
Current - Peak Output (Source, Sink) 250mA, 500mA -
Input Type Non-Inverting Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap) 600 V -
Rise / Fall Time (Typ) 80ns, 40ns -
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Packaging Tube -
Logic Voltage - VILVIH - 6V, 9.5V
Current - Peak Output(Source Sink) - 2A, 2A
High Side Voltage - Max(Bootstrap) - 500 V
Rise / Fall Time(Typ) - 25ns, 17ns
比較モデル : IR2112S IR2110SPBF

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