IR2110STRPBF vs IR2112STR 比較

IR2110STRPBFとIR2112STRの詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察が得られます。RoHS指令準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。詳細については、データシートを参照するか、当社の営業チームにお問い合わせください。お客様の設計に最適な部品の選択をお手伝いいたします。
仕様
IR2110STRPBF

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1823 個数 | インフィニオンテクノロジーズ
IR2112STR

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8698 個数 | インフィニオンテクノロジーズ
パッケージ SOIC 16W SOIC-W-16
説明 IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16SOIC IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 16SOIC
Part Status Active Obsolete
Driven Configuration Half-Bridge High-Side or Low-Side
Channel Type Independent Independent
Number of Drivers 2 2
Gate Type IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET
Voltage - Supply 3.3V ~ 20V 10V ~ 20V
Logic Voltage - VILVIH 6V, 9.5V 6V, 9.5V
Current - Peak Output(Source Sink) 2A, 2A 250mA, 500mA
Input Type Non-Inverting Non-Inverting
High Side Voltage - Max(Bootstrap) 500 V 600 V
Rise / Fall Time(Typ) 25ns, 17ns 80ns, 40ns
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
比較モデル : IR2110STRPBF IR2112STR

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