IR2127STRPBF vs IR2128PBF
IR2127STRPBFとIR2128PBFの詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察が得られます。RoHS指令準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。詳細については、データシートを参照するか、当社の営業チームにお問い合わせください。お客様の設計に最適な部品の選択をお手伝いいたします。
パッケージ
SOIC-8
SOIC-8
説明
IR2127S - GATE DRIVER
IC GATE DRV HI-SIDE/LO-SIDE 8DIP
ProductStatus
Active
Active
DrivenConfiguration
High-Side or Low-Side
High-Side or Low-Side
ChannelType
Single
Single
NumberofDrivers
1
1
GateType
IGBT, N-Channel MOSFET
IGBT, N-Channel MOSFET
Voltage-Supply
12V ~ 20V
12V ~ 20V
LogicVoltage-VILVIH
0.8V, 3V
0.8V, 3V
Current-PeakOutput(SourceSink)
250mA, 500mA
250mA, 500mA
InputType
Non-Inverting
Inverting
HighSideVoltage-Max(Bootstrap)
600 V
600 V
Rise/FallTime(Typ)
80ns, 40ns
80ns, 40ns
OperatingTemperature
-40°C ~ 150°C (TJ)
-40°C ~ 150°C (TJ)
MountingType
Surface Mount
Through Hole
