IRF5305PBF vs IRF5305STRLPBF

IRF5305PBFとIRF5305STRLPBFの詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察を提供します。RoHS指令への準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで、部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

ISO9001 Quality Control ISO45001 ISO14001 100% Genuine
Part A

IRF5305PBF

インフィニオンテクノロジーズ

Lifecycle
Active
Stock
7745 個数
Package
TO-220
Series
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
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Part B

IRF5305STRLPBF

インフィニオンテクノロジーズ

Lifecycle
Active
Stock
3476 個数
Package
TO-263-3
Series
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
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Full specification comparison

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Specification IRF5305PBF IRF5305STRLPBF
Series HEXFET® HEXFET®
Part Status Active Active
FET Type P-Channel P-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 55 V 55 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 31A (Tc) 31A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 10V 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs 60mOhm @ 16A, 10V 60mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 63 nC @ 10 V 63 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V ±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 1200 pF @ 25 V 1200 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max) 110W (Tc) 3.8W (Ta), 110W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type Through Hole Surface Mount
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