IRF5851TRPBF vs IRF5850

IRF5851TRPBFとIRF5850の詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察が得られます。RoHS指令準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。詳細については、データシートを参照するか、当社の営業チームにお問い合わせください。お客様の設計に最適な部品の選択をお手伝いいたします。
仕様
IRF5851TRPBF

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8874 個数 | インフィニオンテクノロジーズ
IRF5850

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7662 個数 | インフィニオンテクノロジーズ
パッケージ SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
説明 MOSFET N/P-CH 20V 2.7A 6-TSOP MOSFET 2P-CH 20V 2.2A 6TSOP
Supplier Infineon Technologies Infineon Technologies
Series HEXFET® -
ProductStatus Obsolete Obsolete
FETType N and P-Channel 2 P-Channel (Dual)
FETFeature Logic Level Gate Logic Level Gate
DraintoSourceVoltage(Vdss) 20V 20V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 2.7A, 2.2A 2.2A
RdsOn(Max)@IdVgs 90mOhm @ 2.7A, 4.5V 135mOhm @ 2.2A, 4.5V
Vgs(th)(Max)@Id 1.25V @ 250µA 1.2V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 6nC @ 4.5V 5.4nC @ 4.5V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 400pF @ 15V 320pF @ 15V
Power-Max 960mW 960mW
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ) -
MountingType Surface Mount Surface Mount
比較モデル : IRF5851TRPBF IRF5850

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