IRF7103TRPBF vs IRF7106

IRF7103TRPBFとIRF7106の詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察を提供します。RoHS指令への準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで、部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

IRF7103TRPBF

インフィニオンテクノロジーズ

Lifecycle
Active
Stock
3890 個数
Package
SOIC-8
Series
トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ
Part B

IRF7106

インフィニオンテクノロジーズ

Lifecycle
Active
Stock
7424 個数
Package
SOIC-8
Series
トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ

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Specification IRF7103TRPBF IRF7106
Supplier - Infineon Technologies
Series HEXFET® HEXFET®
Part Status Active Obsolete
FET Type 2 N-Channel (Dual) N and P-Channel
FET Feature Standard Standard
Drain to Source Voltage (Vdss) 50V 20V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 3A 3A, 2.5A
Rds On(Max) @ Id Vgs 130mOhm @ 3A, 10V 125mOhm @ 1A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 3V @ 250µA 1V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 30nC @ 10V 25nC @ 10V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 290pF @ 25V 300pF @ 15V
Power - Max 2W 2W
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -