IRF7104TRPBF vs IRF7105PBF

IRF7104TRPBFとIRF7105PBFの詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察を提供します。RoHS指令への準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで、部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

ISO9001 Quality Control ISO45001 ISO14001 100% Genuine
Part A

IRF7104TRPBF

インフィニオンテクノロジーズ

Lifecycle
Active
Stock
22804 個数
Package
SOIC-8
Series
トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ
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Part B

IRF7105PBF

インフィニオンテクノロジーズ

Lifecycle
Active
Stock
7430 個数
Package
SOIC-8
Series
トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ
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Full specification comparison

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Specification IRF7104TRPBF IRF7105PBF
Supplier Infineon Technologies Infineon Technologies
Series HEXFET® HEXFET®
Part Status Active Discontinued at Digi-Key
FET Type 2 P-Channel (Dual) N and P-Channel
FET Feature Logic Level Gate Standard
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V 25V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 2.3A 3.5A, 2.3A
Rds On(Max) @ Id Vgs 250mOhm @ 1A, 10V 100mOhm @ 1A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 25nC @ 10V 27nC @ 10V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 290pF @ 15V 330pF @ 15V
Power - Max 2W 2W
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
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