IRF7204TRPBF vs IRF7201TRPBF
IRF7201TRPBFとIRF7204TRPBFの詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察が得られます。RoHS指令準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。詳細については、データシートを参照するか、当社の営業チームにお問い合わせください。お客様の設計に最適な部品の選択をお手伝いいたします。
パッケージ
SOIC-8
説明
MOSFET N-CH 30V 7.3A 8SO
MOSFET P-CH 20V 5.3A 8SO
Series
HEXFET®
HEXFET®
Part Status
Obsolete
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Base Product Number
IRF7201
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FET Type
N-Channel
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Technology
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
-
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
7.3A (Tc)
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Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
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Rds On (Max) @ Id, Vgs
30mOhm @ 7.3A, 10V
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Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
28 nC @ 10 V
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Vgs (Max)
±20V
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Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
550 pF @ 25 V
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Power Dissipation (Max)
2.5W (Tc)
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Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
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Mounting Type
Surface Mount
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Packaging
Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR)
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ProductStatus
-
Last Time Buy
FETType
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P-Channel
DraintoSourceVoltage(Vdss)
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20 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
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5.3A (Ta)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn)
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4.5V, 10V
RdsOn(Max)@IdVgs
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60mOhm @ 5.3A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id
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2.5V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
-
25 nC @ 10 V
Vgs(Max)
-
±12V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
-
860 pF @ 10 V
PowerDissipation(Max)
-
2.5W (Tc)
OperatingTemperature
-
-55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType
-
Surface Mount
