IRF7303TRPBF vs IRF7389 比較
IRF7303TRPBFとIRF7389の詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察が得られます。RoHS指令準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。詳細については、データシートを参照するか、当社の営業チームにお問い合わせください。お客様の設計に最適な部品の選択をお手伝いいたします。
パッケージ
SO-8
SOIC-8
説明
MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8-SOIC
MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
Supplier
-
Infineon Technologies
Series
HEXFET®
HEXFET®
Part Status
Active
Obsolete
FET Type
2 N-Channel (Dual)
N and P-Channel
FET Feature
Standard
Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)
30V
30V
Rds On(Max) @ Id Vgs
50mOhm @ 2.4A, 10V
29mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id
1V @ 250µA
1V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs
25nC @ 10V
33nC @ 10V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds
520pF @ 25V
650pF @ 25V
Power - Max
2W
2.5W
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Surface Mount
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C
4.9A
-
