IRF7306TRPBF vs IRF7301PBF

IRF7306TRPBFとIRF7301PBFの詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察を提供します。RoHS指令への準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで、部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

IRF7306TRPBF

インフィニオンテクノロジーズ

Lifecycle: Active
Stock: 9061 個数
Package: SOIC-8
Series: トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ

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Part B

IRF7301PBF

インフィニオンテクノロジーズ

Lifecycle: Active
Stock: 7366 個数
Package: SOIC-8
Series: トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ

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Full specification comparison

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Specification	IRF7306TRPBF	IRF7301PBF
Supplier	Infineon Technologies	Infineon Technologies,Rochester Electronics, LLC
Series	HEXFET®	HEXFET®
Part Status	Active	Discontinued at Digi-Key
FET Type	2 P-Channel (Dual)	2 N-Channel (Dual)
FET Feature	Logic Level Gate	Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V	20V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C	3.6A	5.2A
Rds On(Max) @ Id Vgs	100mOhm @ 1.8A, 10V	50mOhm @ 2.6A, 4.5V
Vgs(th)(Max) @ Id	1V @ 250µA	700mV @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs	25nC @ 10V	20nC @ 4.5V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds	440pF @ 25V	660pF @ 15V
Power - Max	2W	2W
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount

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