IRF7380PBF vs IRF7306PBF

IRF7380PBFとIRF7306PBFの詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察を提供します。RoHS指令への準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで、部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

IRF7380PBF

インフィニオンテクノロジーズ

Lifecycle
Active
Stock
3152 個数
Package
SOIC-8
Series
トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ
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Part B

IRF7306PBF

インフィニオンテクノロジーズ

Lifecycle
Active
Stock
7981 個数
Package
SOIC-8
Series
トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ
+BOM 見積依頼

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Full specification comparison

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Specification IRF7380PBF IRF7306PBF
Supplier Infineon Technologies,Rochester Electronics, LLC Infineon Technologies
Series HEXFET® HEXFET®
Part Status Discontinued at Digi-Key Discontinued at Digi-Key
FET Type 2 N-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual)
FET Feature Logic Level Gate Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 80V 30V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 3.6A 3.6A
Rds On(Max) @ Id Vgs 73mOhm @ 2.2A, 10V 100mOhm @ 1.8A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 4V @ 250µA 1V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 23nC @ 10V 25nC @ 10V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 660pF @ 25V 440pF @ 25V
Power - Max 2W 2W
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
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