IRF7404TRPBF vs IRF7406TRPBF
IRF7406TRPBFとIRF7404TRPBFの詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察が得られます。RoHS指令準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。詳細については、データシートを参照するか、当社の営業チームにお問い合わせください。お客様の設計に最適な部品の選択をお手伝いいたします。
パッケージ
SOIC-8
SOIC-8
説明
MOSFET P-CH 30V 5.8A 8SO
MOSFET P-CH 20V 6.7A 8SO
Series
HEXFET®
HEXFET®
ProductStatus
Last Time Buy
Active
FETType
P-Channel
P-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss)
30 V
20 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
5.8A (Ta)
6.7A (Ta)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn)
4.5V, 10V
2.7V, 4.5V
RdsOn(Max)@IdVgs
45mOhm @ 2.8A, 10V
40mOhm @ 3.2A, 4.5V
Vgs(th)(Max)@Id
1V @ 250µA
700mV @ 250µA (Min)
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
59 nC @ 10 V
50 nC @ 4.5 V
Vgs(Max)
±20V
±12V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
1100 pF @ 25 V
1500 pF @ 15 V
PowerDissipation(Max)
2.5W (Ta)
2.5W (Ta)
OperatingTemperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType
Surface Mount
Surface Mount
