IRF7493TRPBF vs IRF7425TRPBF

IRF7493TRPBFとIRF7425TRPBFの詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察を提供します。RoHS指令への準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで、部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

IRF7493TRPBF

インフィニオンテクノロジーズ

Lifecycle: Active
Stock: 6264 個数
Package: SOIC-8
Series: トランジスタ - FET、MOSFET - シングル

+BOM 見積依頼

Part B

IRF7425TRPBF

インフィニオンテクノロジーズ

Lifecycle: Active
Stock: 4696 個数
Package: SOIC-8
Series: トランジスタ - FET、MOSFET - シングル

+BOM 見積依頼

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

見積依頼 Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification	IRF7493TRPBF	IRF7425TRPBF
Series	HEXFET®	HEXFET®
Part Status	Active	Active
FET Type	N-Channel	P-Channel
Technology	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	80 V	20 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C	9.3A (Tc)	15A (Ta)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On)	10V	2.5V, 4.5V
Rds On(Max) @ Id Vgs	15mOhm @ 5.6A, 10V	8.2mOhm @ 15A, 4.5V
Vgs(th)(Max) @ Id	4V @ 250µA	1.2V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs	53 nC @ 10 V	130 nC @ 4.5 V
Vgs(Max)	±20V	±12V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds	1510 pF @ 25 V	7980 pF @ 15 V
Power Dissipation (Max)	2.5W (Tc)	2.5W (Ta)
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount

Compare 見積依頼