IRF7478TRPBF vs IRF7473TRPBF

IRF7478TRPBFとIRF7473TRPBFの詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察を提供します。RoHS指令への準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで、部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

IRF7478TRPBF

インフィニオンテクノロジーズ

Lifecycle: Active
Stock: 4717 個数
Package: SOIC-8
Series: トランジスタ - FET、MOSFET - シングル

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Part B

IRF7473TRPBF

インフィニオンテクノロジーズ

Lifecycle: Active
Stock: 3489 個数
Package: SOIC-8
Series: トランジスタ - FET、MOSFET - シングル

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Full specification comparison

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Specification	IRF7478TRPBF	IRF7473TRPBF
Series	HEXFET®	HEXFET®
Part Status	Obsolete	Active
FET Type	N-Channel	N-Channel
Technology	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	60 V	100 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C	7A (Ta)	6.9A (Ta)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On)	4.5V, 10V	10V
Rds On(Max) @ Id Vgs	26mOhm @ 4.2A, 10V	26mOhm @ 4.1A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id	3V @ 250µA	5.5V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs	31 nC @ 4.5 V	61 nC @ 10 V
Vgs(Max)	±20V	±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds	1740 pF @ 25 V	3180 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max)	2.5W (Ta)	2.5W (Ta)
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount

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