IRF7853TRPBF vs IRF7815TRPBF
IRF7853TRPBFとIRF7815TRPBFの詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察が得られます。RoHS指令準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。詳細については、データシートを参照するか、当社の営業チームにお問い合わせください。お客様の設計に最適な部品の選択をお手伝いいたします。
パッケージ
SOIC-8
説明
MOSFET N-CH 100V 8.3A 8SO
MOSFET N-CH 150V 5.1A 8SO
Series
HEXFET®
HEXFET®
ProductStatus
-
Active
FETType
-
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss)
-
150 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
-
5.1A (Ta)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn)
-
10V
RdsOn(Max)@IdVgs
-
43mOhm @ 3.1A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id
-
5V @ 100µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
-
38 nC @ 10 V
Vgs(Max)
-
±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
-
1647 pF @ 75 V
PowerDissipation(Max)
-
2.5W (Ta)
OperatingTemperature
-
-55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType
-
Surface Mount
Part Status
Active
-
Base Product Number
IRF7853
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
18mOhm @ 8.3A, 10V
-
Packaging
Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR)
-
