IRF9630PBF vs IRF9640S

IRF9640SとIRF9630PBFの詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察が得られます。RoHS指令準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。詳細については、データシートを参照するか、当社の営業チームにお問い合わせください。お客様の設計に最適な部品の選択をお手伝いいたします。
仕様
IRF9640S

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4570 個数 | ビシェイ・シリコニクス
IRF9630PBF

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5457 個数 | ビシェイ・シリコニクス
パッケージ TO-263-3 TO-220AB-3
説明 MOSFET P-CH 200V 11A D2PAK MOSFET P-CH 200V 6.5A TO220AB
ProductStatus Obsolete Active
FETType P-Channel P-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 200 V 200 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 11A (Tc) 6.5A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 10V 10V
RdsOn(Max)@IdVgs 500mOhm @ 6.6A, 10V 800mOhm @ 3.9A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 44 nC @ 10 V 29 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V ±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 1200 pF @ 25 V 700 pF @ 25 V
PowerDissipation(Max) 3W (Ta), 125W (Tc) 74W (Tc)
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount Through Hole
比較モデル : IRF9640S IRF9630PBF

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