IRFB4019PBF vs IRFB4710PBF 比較

IRFB4710PBFとIRFB4019PBFの詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察が得られます。RoHS指令準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。詳細については、データシートを参照するか、当社の営業チームにお問い合わせください。お客様の設計に最適な部品の選択をお手伝いいたします。

仕様

IRFB4710PBF

+BOM

2708 個数 | インフィニオンテクノロジーズ

IRFB4019PBF

+BOM

6417 個数 | インターナショナル・レクティファイアー

パッケージ TO-220 TO-220-3

説明 MOSFET N-CH 100V 75A TO220AB IRFB4019 - 12V-300V N-CHANNEL PO

Series HEXFET® -

Part Status Active Active

FET Type N-Channel N-Channel

Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V 150 V

Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 75A (Tc) 17A (Tc)

Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 10V 10V

Rds On(Max) @ Id Vgs 14mOhm @ 45A, 10V 95mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(Max) @ Id 5.5V @ 250µA 4.9V @ 50µA

Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 170 nC @ 10 V 20 nC @ 10 V

Vgs(Max) ±20V ±20V

Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 6160 pF @ 25 V 800 pF @ 50 V

Power Dissipation (Max) 3.8W (Ta), 200W (Tc) 80W (Tc)

Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)

Mounting Type Through Hole Through Hole

比較モデル : IRFB4710PBF IRFB4019PBF

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