IRFB4020PBF vs IRFB4127PBF
IRFB4127PBFとIRFB4020PBFの詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察が得られます。RoHS指令準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。詳細については、データシートを参照するか、当社の営業チームにお問い合わせください。お客様の設計に最適な部品の選択をお手伝いいたします。
パッケージ
TO220
TO220-3
説明
MOSFET N-CH 200V 76A TO220AB
MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB
Series
HEXFET®
-
ProductStatus
Active
Active
FETType
N-Channel
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss)
200 V
200 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
76A (Tc)
18A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn)
10V
10V
RdsOn(Max)@IdVgs
20mOhm @ 44A, 10V
100mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id
5V @ 250µA
4.9V @ 100µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
150 nC @ 10 V
29 nC @ 10 V
Vgs(Max)
±20V
±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
5380 pF @ 50 V
1200 pF @ 50 V
PowerDissipation(Max)
375W (Tc)
100W (Tc)
OperatingTemperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
-55°C ~ 175°C (TJ)
MountingType
Through Hole
Through Hole
