IRFB7545PBF vs IRFB7730PBF

IRFB7545PBFとIRFB7730PBFの詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察を提供します。RoHS指令への準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで、部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

ISO9001 Quality Control ISO45001 ISO14001 100% Genuine
Part A

IRFB7545PBF

インフィニオンテクノロジーズ

Lifecycle
Active
Stock
5827 個数
Package
TO-220-3
Series
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
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Part B

IRFB7730PBF

インフィニオンテクノロジーズ

Lifecycle
Active
Stock
3203 個数
Package
TO-220-3
Series
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
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Full specification comparison

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Specification IRFB7545PBF IRFB7730PBF
Series HEXFET®, StrongIRFET™ HEXFET®
Part Status Active Active
FET Type N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V 75 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 95A (Tc) 195A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 6V, 10V 6V, 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs 5.9mOhm @ 57A, 10V 2.6mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 3.7V @ 100µA 3.7V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 110 nC @ 10 V 407 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V ±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 4010 pF @ 25 V 13660 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max) 125W (Tc) 375W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type Through Hole Through Hole
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