IRFH7004TRPBF vs IRFH7084TRPBF

IRFH7004TRPBFとIRFH7084TRPBFの詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察を提供します。RoHS指令への準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで、部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

IRFH7004TRPBF

インターナショナル・レクティファイアー

Lifecycle: Active
Stock: 3078 個数
Package: TDSON-8
Series: トランジスタ - FET、MOSFET - シングル

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Part B

IRFH7084TRPBF

インフィニオンテクノロジーズ

Lifecycle: Active
Stock: 3343 個数
Package: TDSON-8
Series: トランジスタ - FET、MOSFET - シングル

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Full specification comparison

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Specification	IRFH7004TRPBF	IRFH7084TRPBF
Series	HEXFET®, StrongIRFET™	HEXFET®
Part Status	Active	Active
FET Type	N-Channel	N-Channel
Technology	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	40 V	40 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C	100A (Tc)	100A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On)	6V, 10V	10V
Rds On(Max) @ Id Vgs	1.4mOhm @ 100A, 10V	1.25mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id	3.9V @ 150µA	3.9V @ 150µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs	194 nC @ 10 V	190 nC @ 10 V
Vgs(Max)	±20V	±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds	6419 pF @ 25 V	6560 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max)	156W (Tc)	156W (Tc)
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount

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