IRFP3206PBF vs IRFP32N50KPBF

IRFP3206PBFとIRFP32N50KPBFの詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察が得られます。RoHS指令準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。詳細については、データシートを参照するか、当社の営業チームにお問い合わせください。お客様の設計に最適な部品の選択をお手伝いいたします。
仕様
IRFP3206PBF

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1748 個数 | インフィニオンテクノロジーズ
IRFP32N50KPBF

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4605 個数 | ビシェイ・シリコニクス
パッケージ TO-247-3 TO-247-3
説明 MOSFET N-CH 60V 120A TO247AC MOSFET N-CH 500V 32A TO247-3
ProductStatus Active Active
FETType N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 60 V 500 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 120A (Tc) 32A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 10V 10V
RdsOn(Max)@IdVgs 3mOhm @ 75A, 10V 160mOhm @ 32A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 4V @ 150µA 5V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 170 nC @ 10 V 190 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V ±30V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 6540 pF @ 50 V 5280 pF @ 25 V
PowerDissipation(Max) 280W (Tc) 460W (Tc)
OperatingTemperature -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Through Hole Through Hole
Series HEXFET® -
比較モデル : IRFP3206PBF IRFP32N50KPBF

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