IRFP360PBF vs IRFP3306PBF

IRFP3306PBFとIRFP360PBFの詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察が得られます。RoHS指令準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。詳細については、データシートを参照するか、当社の営業チームにお問い合わせください。お客様の設計に最適な部品の選択をお手伝いいたします。
仕様
IRFP3306PBF

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4449 個数 | インフィニオンテクノロジーズ
IRFP360PBF

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3678 個数 | ビシェイ・シリコニクス
パッケージ TO-247-3
説明 MOSFET N-CH 60V 120A TO247AC MOSFET N-CH 400V 23A TO247-3
Series HEXFET® -
Part Status Last Time Buy -
Base Product Number IRFP3306 -
FET Type N-Channel -
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 120A (Tc) -
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.2mOhm @ 75A, 10V -
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 150µA -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 120 nC @ 10 V -
Vgs (Max) ±20V -
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4520 pF @ 50 V -
Power Dissipation (Max) 220W (Tc) -
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ) -
Mounting Type Through Hole -
Packaging Tube -
ProductStatus - Active
FETType - N-Channel
DraintoSourceVoltage(Vdss) - 400 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C - 23A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) - 10V
RdsOn(Max)@IdVgs - 200mOhm @ 14A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id - 4V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs - 210 nC @ 10 V
Vgs(Max) - ±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds - 4500 pF @ 25 V
PowerDissipation(Max) - 280W (Tc)
OperatingTemperature - -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType - Through Hole
比較モデル : IRFP3306PBF IRFP360PBF

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