IRFP4227PBF vs IRFP4229PBF
IRFP4229PBFとIRFP4227PBFの詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察が得られます。RoHS指令準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。詳細については、データシートを参照するか、当社の営業チームにお問い合わせください。お客様の設計に最適な部品の選択をお手伝いいたします。
パッケージ
TO-247-3
TO247
説明
IRFP4229 - 12V-300V N-CHANNEL PO
IRFP4227 - 12V-300V N-CHANNEL PO
Series
HEXFET®
HEXFET®
ProductStatus
Active
Active
FETType
N-Channel
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss)
250 V
200 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
44A (Tc)
65A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn)
10V
10V
RdsOn(Max)@IdVgs
46mOhm @ 26A, 10V
25mOhm @ 46A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id
5V @ 250µA
5V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
110 nC @ 10 V
98 nC @ 10 V
Vgs(Max)
±30V
±30V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
4560 pF @ 25 V
4600 pF @ 25 V
PowerDissipation(Max)
310W (Tc)
330W (Tc)
OperatingTemperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
-40°C ~ 175°C (TJ)
MountingType
Through Hole
Through Hole
