IRFP460A vs IRFP460PBF

IRFP460AとIRFP460PBFの詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察を提供します。RoHS指令への準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで、部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

IRFP460A

ビシェイ・シリコニクス

Lifecycle
Active
Stock
7403 個数
Package
TO-247-3
Series
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Part B

IRFP460PBF

インフィニオンテクノロジーズ

Lifecycle
Active
Stock
2768 個数
Package
TO-247-3
Series
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification IRFP460A IRFP460PBF
Part Status Obsolete Last Time Buy
FET Type N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 500 V 500 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 20A (Tc) 20A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 10V 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs 270mOhm @ 12A, 10V 270mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 105 nC @ 10 V 210 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±30V ±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 3100 pF @ 25 V 4200 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max) 280W (Tc) 280W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Through Hole Through Hole
Series - HEXFET®