IRFP4768PBF vs IRFP4468PBF

IRFP4768PBFとIRFP4468PBFの詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察を提供します。RoHS指令への準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで、部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

IRFP4768PBF

インフィニオンテクノロジーズ

Lifecycle
Active
Stock
7193 個数
Series
トランジスタ - FET、MOSFET -シングルFET、MOSFET
Part B

IRFP4468PBF

インターナショナル・レクティファイアー

Lifecycle
Active
Stock
4924 個数
Package
TO-247
Series
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル

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Specification IRFP4768PBF IRFP4468PBF
Series HEXFET® HEXFET®
Part Status Last Time Buy Active
FET Type N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 250 V 100 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C - 195A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) - 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs - 2.6mOhm @ 180A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id - 4V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs - 540 nC @ 10 V
Vgs(Max) - ±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds - 19860 pF @ 50 V
Power Dissipation (Max) 520W (Tc) 520W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type Through Hole Through Hole
Base Product Number IRFP4768 -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 93A (Tc) -
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 17.5mOhm @ 56A, 10V -
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 270 nC @ 10 V -
Vgs (Max) ±20V -
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 10880 pF @ 50 V -
Packaging Tube -