IRGP30B120KD-EP vs IRGP35B60PD-EP

IRGP30B120KD-EPとIRGP35B60PD-EPの詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察を提供します。RoHS指令への準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで、部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

IRGP30B120KD-EP

インフィニオンテクノロジーズ

Lifecycle
Active
Stock
4491 個数
Package
TO-247-3
Series
トランジスタ - IGBT - シングル
Part B

IRGP35B60PD-EP

インフィニオンテクノロジーズ

Lifecycle
Active
Stock
2708 個数
Package
TO-247-3
Series
トランジスタ - IGBT - シングル

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Full specification comparison

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Specification IRGP30B120KD-EP IRGP35B60PD-EP
Supplier - Infineon Technologies
Part Status Obsolete Obsolete
IGBT Type NPT NPT
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) 1200 V 600 V
Current - Collector(Ic)(Max) 60 A 60 A
Current - Collector Pulsed(Icm) 120 A 120 A
Vce(on)(Max) @ Vge Ic 4V @ 15V, 60A 2.55V @ 15V, 35A
Power - Max 300 W 308 W
Switching Energy 1.07mJ (on), 1.49mJ (off) 220µJ (on), 215µJ (off)
Input Type Standard Standard
Gate Charge 169 nC 160 nC
Td(on / off) @ 25°C - 26ns/110ns
Test Condition 600V, 25A, 5Ohm, 15V 390V, 22A, 3.3Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr) 300 ns 42 ns
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Through Hole Through Hole