IRGP35B60PDPBF vs IRGP35B60PD-EP

IRGP35B60PDPBFとIRGP35B60PD-EPの詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察を提供します。RoHS指令への準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで、部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

IRGP35B60PDPBF

インフィニオンテクノロジーズ

Lifecycle: Active
Stock: 3801 個数
Package: TO-247-3
Series: トランジスタ - IGBT - シングル

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Part B

IRGP35B60PD-EP

インフィニオンテクノロジーズ

Lifecycle: Active
Stock: 2708 個数
Package: TO-247-3
Series: トランジスタ - IGBT - シングル

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Full specification comparison

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Specification	IRGP35B60PDPBF	IRGP35B60PD-EP
Supplier	Infineon Technologies	Infineon Technologies
Part Status	Obsolete	Obsolete
IGBT Type	NPT	NPT
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max)	600 V	600 V
Current - Collector(Ic)(Max)	60 A	60 A
Current - Collector Pulsed(Icm)	120 A	120 A
Vce(on)(Max) @ Vge Ic	2.55V @ 15V, 35A	2.55V @ 15V, 35A
Power - Max	308 W	308 W
Switching Energy	220µJ (on), 215µJ (off)	220µJ (on), 215µJ (off)
Input Type	Standard	Standard
Gate Charge	160 nC	160 nC
Td(on / off) @ 25°C	26ns/110ns	26ns/110ns
Test Condition	390V, 22A, 3.3Ohm, 15V	390V, 22A, 3.3Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)	42 ns	42 ns
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Through Hole	Through Hole

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