IRLML5203 vs IRLML0030TRPBF

IRLML5203とIRLML0030TRPBFの詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察を提供します。RoHS指令への準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで、部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

IRLML5203

インフィニオンテクノロジーズ

Lifecycle: Active
Stock: 6689 個数
Package: SOT-23
Series: トランジスタ - FET、MOSFET - シングル

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Part B

IRLML0030TRPBF

インフィニオンテクノロジーズ

Lifecycle: Active
Stock: 4058 個数
Package: SOT-23
Series: トランジスタ - FET、MOSFET - シングル

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Full specification comparison

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Specification	IRLML5203	IRLML0030TRPBF
Series	HEXFET®	HEXFET®
Part Status	Obsolete	Active
FET Type	P-Channel	N-Channel
Technology	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30 V	30 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C	3A (Ta)	5.3A (Ta)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On)	4.5V, 10V	4.5V, 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs	98mOhm @ 3A, 10V	27mOhm @ 5.2A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id	2.5V @ 250µA	2.3V @ 25µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs	14 nC @ 10 V	2.6 nC @ 4.5 V
Vgs(Max)	±20V	±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds	510 pF @ 25 V	382 pF @ 15 V
Power Dissipation (Max)	1.25W (Ta)	1.3W (Ta)
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount
Operating Temperature	-	-55°C ~ 150°C (TJ)

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