IRLML0060TRPBF vs IRLML0040TRPBF

IRLML0060TRPBFとIRLML0040TRPBFの詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察を提供します。RoHS指令への準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで、部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

IRLML0060TRPBF

インターナショナル・レクティファイアー

Lifecycle: Active
Stock: 7743 個数
Package: SOT-23
Series: トランジスタ - FET、MOSFET - シングル

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Part B

IRLML0040TRPBF

インフィニオンテクノロジーズ

Lifecycle: Active
Stock: 1530 個数
Package: SOT-23
Series: トランジスタ - FET、MOSFET - シングル

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Full specification comparison

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Specification	IRLML0060TRPBF	IRLML0040TRPBF
Series	HEXFET®	HEXFET®
Part Status	Active	Active
FET Type	N-Channel	N-Channel
Technology	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	60 V	40 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C	2.7A (Ta)	3.6A (Ta)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On)	4.5V, 10V	4.5V, 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs	92mOhm @ 2.7A, 10V	56mOhm @ 3.6A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id	2.5V @ 25µA	2.5V @ 25µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs	2.5 nC @ 4.5 V	3.9 nC @ 4.5 V
Vgs(Max)	±16V	±16V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds	290 pF @ 25 V	266 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max)	1.25W (Ta)	1.3W (Ta)
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount

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