IRLML6401TRPBF vs IRLML2402TRPBF

IRLML6401TRPBFとIRLML2402TRPBFの詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察を提供します。RoHS指令への準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで、部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

IRLML6401TRPBF

インフィニオンテクノロジーズ

Lifecycle: Active
Stock: 6783 個数
Series: トランジスタ - FET、MOSFET -シングルFET、MOSFET

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Part B

IRLML2402TRPBF

インフィニオンテクノロジーズ

Lifecycle: Active
Stock: 2066 個数
Series: トランジスタ - FET、MOSFET -シングルFET、MOSFET

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Full specification comparison

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Specification	IRLML6401TRPBF	IRLML2402TRPBF
Series	HEXFET®	HEXFET®
Part Status	Last Time Buy	Obsolete
Base Product Number	IRLML6401	IRLML2402
FET Type	P-Channel	N-Channel
Technology	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	12 V	20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	4.3A (Ta)	1.2A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V	2.7V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	50mOhm @ 4.3A, 4.5V	250mOhm @ 930mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id	950mV @ 250µA	700mV @ 250µA (Min)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	15 nC @ 5 V	3.9 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)	±8V	±12V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	830 pF @ 10 V	110 pF @ 15 V
Power Dissipation (Max)	1.3W (Ta)	540mW (Ta)
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount
Packaging	Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR)	Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR)

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