IRLML5203TRPBF vs IRLML0030TRPBF

IRLML5203TRPBFとIRLML0030TRPBFの詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察を提供します。RoHS指令への準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで、部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

IRLML5203TRPBF

インフィニオンテクノロジーズ

Lifecycle
Active
Stock
4490 個数
Series
トランジスタ - FET、MOSFET -シングルFET、MOSFET
Part B

IRLML0030TRPBF

インフィニオンテクノロジーズ

Lifecycle
Active
Stock
4058 個数
Package
SOT-23
Series
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル

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Specification IRLML5203TRPBF IRLML0030TRPBF
Series HEXFET® HEXFET®
Part Status Last Time Buy Active
FET Type P-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V 30 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C - 5.3A (Ta)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) - 4.5V, 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs - 27mOhm @ 5.2A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id - 2.3V @ 25µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs - 2.6 nC @ 4.5 V
Vgs(Max) - ±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds - 382 pF @ 15 V
Power Dissipation (Max) 1.25W (Ta) 1.3W (Ta)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Base Product Number IRLML5203 -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3A (Ta) -
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 98mOhm @ 3A, 10V -
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14 nC @ 10 V -
Vgs (Max) ±20V -
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 510 pF @ 25 V -
Packaging Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR) -