IRLML6402TRPBF vs IRLML6302TRPBF

IRLML6402TRPBFとIRLML6302TRPBFの詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察を提供します。RoHS指令への準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで、部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

IRLML6402TRPBF

インフィニオンテクノロジーズ

Lifecycle: Active
Stock: 3910 個数
Series: トランジスタ - FET、MOSFET -シングルFET、MOSFET

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Part B

IRLML6302TRPBF

インフィニオンテクノロジーズ

Lifecycle: Active
Stock: 5057 個数
Series: トランジスタ - FET、MOSFET -シングルFET、MOSFET

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Full specification comparison

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Specification	IRLML6402TRPBF	IRLML6302TRPBF
Series	HEXFET®	HEXFET®
Part Status	Last Time Buy	Obsolete
Base Product Number	IRLML6402	IRLML6302
FET Type	P-Channel	P-Channel
Technology	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	20 V	20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	3.7A (Ta)	780mA (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V	2.7V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	65mOhm @ 3.7A, 4.5V	600mOhm @ 610mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id	1.2V @ 250µA	1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	12 nC @ 5 V	3.6 nC @ 4.45 V
Vgs (Max)	±12V	±12V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	633 pF @ 10 V	97 pF @ 15 V
Power Dissipation (Max)	1.3W (Ta)	540mW (Ta)
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount
Packaging	Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR)	Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR)

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