ISL2111BR4Z-T vs ISL2100AAR3Z

ISL2111BR4Z-TとISL2100AAR3Zの詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察が得られます。RoHS指令準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。詳細については、データシートを参照するか、当社の営業チームにお問い合わせください。お客様の設計に最適な部品の選択をお手伝いいたします。
仕様
ISL2111BR4Z-T

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3883 個数 | ルネサス エレクトロニクス アメリカ株式会社
ISL2100AAR3Z

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8251 個数 | インターシル
パッケージ DFN-8 DFN-9
説明 IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DFN HALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVER
ProductStatus Active -
DrivenConfiguration Half-Bridge Active
ChannelType Independent Half-Bridge
NumberofDrivers 2 Independent
GateType N-Channel MOSFET 2
Voltage-Supply 8V ~ 14V N-Channel MOSFET
LogicVoltage-VILVIH 1.4V, 2.2V 9V ~ 14V
Current-PeakOutput(SourceSink) 3A, 4A 3.7V, 7.4V
InputType Non-Inverting 2A, 2A
HighSideVoltage-Max(Bootstrap) 114 V Non-Inverting
Rise/FallTime(Typ) 9ns, 7.5ns 114 V
OperatingTemperature -40°C ~ 125°C (TJ) 10ns, 10ns
MountingType Surface Mount -40°C ~ 125°C (TJ)
Series - Bulk
比較モデル : ISL2111BR4Z-T ISL2100AAR3Z

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