IXDN602SIA vs IXDN609SITR

IXDN602SIAとIXDN609SITRの詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察を提供します。RoHS指令への準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで、部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

IXDN602SIA

ユナイテッドSiC

Lifecycle: Active
Stock: 1223 個数
Package: SOIC-8
Series: PMIC - ゲートドライバ

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Part B

IXDN609SITR

ユナイテッドSiC

Lifecycle: Active
Stock: 7025 個数
Package: SOIC-8
Series: PMIC - ゲートドライバ

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Full specification comparison

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Specification	IXDN602SIA	IXDN609SITR
Part Status	Active	Active
Driven Configuration	Low-Side	Low-Side
Channel Type	Independent	Single
Number of Drivers	2	1
Gate Type	IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET	IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
Voltage - Supply	4.5V ~ 35V	4.5V ~ 35V
Logic Voltage - VILVIH	0.8V, 3V	0.8V, 3V
Current - Peak Output(Source Sink)	2A, 2A	9A, 9A
Input Type	Non-Inverting	Non-Inverting
Rise / Fall Time(Typ)	7.5ns, 6.5ns	22ns, 15ns
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount

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