IXDN614PI vs IXDN609PI

IXDN614PIとIXDN609PIの詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察が得られます。RoHS指令準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。詳細については、データシートを参照するか、当社の営業チームにお問い合わせください。お客様の設計に最適な部品の選択をお手伝いいたします。
仕様
IXDN614PI

+BOM

5706 個数 | ユナイテッドSiC
IXDN609PI

+BOM

9730 個数 | ユナイテッドSiC
パッケージ DIP-8 DIP-8
説明 IC GATE DRVR LOW-SIDE 8DIP IC GATE DRVR LOW-SIDE 8DIP
ProductStatus Active Active
DrivenConfiguration Low-Side Low-Side
ChannelType Single Single
NumberofDrivers 1 1
GateType IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
Voltage-Supply 4.5V ~ 35V 4.5V ~ 35V
LogicVoltage-VILVIH 0.8V, 3V 0.8V, 3V
Current-PeakOutput(SourceSink) 14A, 14A 9A, 9A
InputType Non-Inverting Non-Inverting
Rise/FallTime(Typ) 25ns, 18ns 22ns, 15ns
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Through Hole Through Hole
比較モデル : IXDN614PI IXDN609PI

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