JANTX2N6796 vs JANTX2N2907A 比較

JANTX2N2907AとJANTX2N6796の詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察が得られます。RoHS指令準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。詳細については、データシートを参照するか、当社の営業チームにお問い合わせください。お客様の設計に最適な部品の選択をお手伝いいたします。
仕様
JANTX2N2907A

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27557 個数 | マイクロチップ・テクノロジー
JANTX2N6796

+BOM

2949 個数 | マイクロセミコーポレーション
パッケージ TO-206AA, TO-18-3 Metal Can TO-205AF-3
説明 TRANS PNP 60V 0.6A TO206AA MOSFET N-CH 100V 8A TO205AF
Supplier Microchip Technology -
Series Military, MIL-PRF-19500/291 Military, MIL-PRF-19500/557
Part Status Active Obsolete
Transistor Type PNP -
Current - Collector(Ic)(Max) 600 mA -
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) 60 V -
Vce Saturation(Max) @ Ib Ic 1.6V @ 50mA, 500mA -
Current - Collector Cutoff(Max) 50nA -
DC Current Gain(h FE)(Min) @ Ic Vce 100 @ 150mA, 10V -
Power - Max 500 mW -
Operating Temperature -65°C ~ 200°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Through Hole Through Hole
FET Type - N-Channel
Technology - MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) - 100 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C - 8A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) - 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs - 195mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id - 4V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs - 28.51 nC @ 10 V
Vgs(Max) - ±20V
Power Dissipation (Max) - 800mW (Ta), 25W (Tc)
比較モデル : JANTX2N2907A JANTX2N6796

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