JANTX2N6796 vs JANTX2N3029 比較

JANTX2N6796とJANTX2N3029の詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察が得られます。RoHS指令準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。詳細については、データシートを参照するか、当社の営業チームにお問い合わせください。お客様の設計に最適な部品の選択をお手伝いいたします。
仕様
JANTX2N6796

+BOM

2949 個数 | マイクロセミコーポレーション
JANTX2N3029

+BOM

5197 個数 | マイクロセミコーポレーション
パッケージ TO-205AF-3 TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
説明 MOSFET N-CH 100V 8A TO205AF SCR 1KV 250MA TO18
Supplier - Microchip Technology
Series Military, MIL-PRF-19500/557 Military, MIL-S-19500/419
Part Status Obsolete Active
Voltage - Off State - 1 kV
Voltage - Gate Trigger(Vgt)(Max) - 800 mV
Current - Gate Trigger(Igt)(Max) - 200 µA
Voltage - On State(Vtm)(Max) - 1.5 V
Current - On State(It(RMS))(Max) - 250 mA
Current - Hold(Ih)(Max) - 5 mA
Current - Off State(Max) - 100 nA
Current - Non Rep Surge5060 Hz(Itsm) - 5A, 8A
SCR Type - Sensitive Gate
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -65°C ~ 150°C
Mounting Type Through Hole Through Hole
FET Type N-Channel -
Technology MOSFET (Metal Oxide) -
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V -
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 8A (Tc) -
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 10V -
Rds On(Max) @ Id Vgs 195mOhm @ 8A, 10V -
Vgs(th)(Max) @ Id 4V @ 250µA -
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 28.51 nC @ 10 V -
Vgs(Max) ±20V -
Power Dissipation (Max) 800mW (Ta), 25W (Tc) -
比較モデル : JANTX2N6796 JANTX2N3029

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