LF353DR vs LF353MX/NOPB

LF353MX/NOPBとLF353DRの詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察が得られます。RoHS指令準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。詳細については、データシートを参照するか、当社の営業チームにお問い合わせください。お客様の設計に最適な部品の選択をお手伝いいたします。
仕様
LF353MX/NOPB

+BOM

1734 個数 | シーラス・ロジック社
LF353DR

+BOM

7226 個数 | STマイクロエレクトロニクス
パッケージ
説明
ProductStatus Active Active
AmplifierType J-FET J-FET
NumberofCircuits 2 2
SlewRate 13V/µs 13V/µs
GainBandwidthProduct 4 MHz 3 MHz
Current-InputBias 50 pA 50 pA
Voltage-InputOffset 5 mV 5 mV
Current-Supply 3.6mA (x2 Channels) 3.6mA (x2 Channels)
Voltage-SupplySpan(Min) 10 V 7 V
Voltage-SupplySpan(Max) 36 V 36 V
OperatingTemperature 0°C ~ 70°C 0°C ~ 70°C
MountingType Surface Mount Surface Mount
Current-Output/Channel - 40 mA
比較モデル : LF353MX/NOPB LF353DR

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