LM258DR vs LM258DR2

LM258DRとLM258DR2の詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察が得られます。RoHS指令準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。詳細については、データシートを参照するか、当社の営業チームにお問い合わせください。お客様の設計に最適な部品の選択をお手伝いいたします。
仕様
LM258DR

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5147 個数 | STマイクロエレクトロニクス
LM258DR2

+BOM

7525 個数 | オンセミコンダクター社
パッケージ 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
説明 IC OPAMP DUAL LOW POWER 8SOIC
Supplier - onsemi,Rochester Electronics, LLC
ProductStatus Active Obsolete
AmplifierType General Purpose General Purpose
NumberofCircuits 2 2
GainBandwidthProduct 700 kHz 1 MHz
Current-InputBias 20 nA 45 nA
Voltage-InputOffset 3 mV 2 mV
Current-Supply 500µA (x2 Channels) 800µA (x2 Channels)
Current-Output/Channel 40 mA 40 mA
Voltage-SupplySpan(Min) 3 V 3 V
Voltage-SupplySpan(Max) 32 V 32 V
OperatingTemperature -25°C ~ 85°C (TA) -25°C ~ 85°C
MountingType Surface Mount Surface Mount
SlewRate 0.3V/µs -
比較モデル : LM258DR LM258DR2

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