LM311DR vs LM311DR2

LM311DRとLM311DR2の詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察が得られます。RoHS指令準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。詳細については、データシートを参照するか、当社の営業チームにお問い合わせください。お客様の設計に最適な部品の選択をお手伝いいたします。
仕様
LM311DR

+BOM

4713 個数 | STマイクロエレクトロニクス
LM311DR2

+BOM

6545 個数 | オンセミコンダクター社
パッケージ SOIC (D)-8
説明 IC DIFF COMP STROBE 8-SOIC IC COMPARATOR SGL HI VOLT 8SOIC
Supplier - onsemi,Rochester Electronics, LLC
ProductStatus Active Obsolete
Type General Purpose -
NumberofElements 1 -
OutputType MOS, Open-Collector, Open-Emitter, TTL -
Voltage-SupplySingle/Dual(±) 3.5V ~ 30V, ±1.75V ~ 15V -
Voltage-InputOffset(Max) 7.5mV @ ±15V -
Current-InputBias(Max) 0.25µA @ ±15V -
Current-Quiescent(Max) 7.5mA -
OperatingTemperature 0°C ~ 70°C -
MountingType Surface Mount -
比較モデル : LM311DR LM311DR2

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