LM358DR2G vs LM358BAIDR

LM358BAIDRとLM358DR2Gの詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察が得られます。RoHS指令準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。詳細については、データシートを参照するか、当社の営業チームにお問い合わせください。お客様の設計に最適な部品の選択をお手伝いいたします。
仕様
LM358BAIDR

+BOM

2857 個数 | STマイクロエレクトロニクス
LM358DR2G

+BOM

7716 個数 | オンセミコンダクター社
パッケージ
説明
ProductStatus Active Active
AmplifierType General Purpose General Purpose
NumberofCircuits 2 2
SlewRate 0.5V/µs -
GainBandwidthProduct 1.2 MHz 1 MHz
Current-InputBias 10 nA 45 nA
Voltage-InputOffset 2 mV 2 mV
Current-Supply 300µA (x2 Channels) 800µA (x2 Channels)
Current-Output/Channel 40 mA 40 mA
Voltage-SupplySpan(Min) 3 V 3 V
Voltage-SupplySpan(Max) 36 V 32 V
OperatingTemperature -40°C ~ 125°C (TA) 0°C ~ 70°C
MountingType Surface Mount Surface Mount
比較モデル : LM358BAIDR LM358DR2G

+BOM 見積依頼