LMV358DR2G vs LMV358IDR

LMV358DR2GとLMV358IDRの詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察を提供します。RoHS指令への準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで、部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

LMV358DR2G

オンセミコンダクター社

Lifecycle
Active
Stock
2103 個数
Series
リニアアンプ - 計装用、オペアンプ、バッファアンプ
Part B

LMV358IDR

STマイクロエレクトロニクス

Lifecycle
Active
Stock
5884 個数
Series
リニアアンプ - 計装用、オペアンプ、バッファアンプ

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Full specification comparison

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Specification LMV358DR2G LMV358IDR
Part Status Active Active
Amplifier Type Voltage Feedback General Purpose
Number of Circuits 2 2
Output Type Rail-to-Rail Rail-to-Rail
Slew Rate 1V/µs 1V/µs
Gain Bandwidth Product 1 MHz 1 MHz
Current - Input Bias 1 nA 15 nA
Voltage - Input Offset 1.7 mV 1.7 mV
Supply Current 100µA (x2 Channels) 210µA (x2 Channels)
Current - Output / Channel 160 mA 40 mA
Voltage - Supply Span(Min) 2.7 V 2.7 V
Voltage - Supply Span(Max) 5.5 V 5.5 V
Operating Temperature -40°C ~ 85°C -40°C ~ 125°C (TA)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount