LMV358IDT vs LMV358DR2G 比較

LMV358DR2GとLMV358IDTの詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察が得られます。RoHS指令準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。詳細については、データシートを参照するか、当社の営業チームにお問い合わせください。お客様の設計に最適な部品の選択をお手伝いいたします。
仕様
LMV358DR2G

+BOM

2103 個数 | オンセミコンダクター社
LMV358IDT

+BOM

5316 個数 | RFE/フューゼテック
パッケージ
説明
Part Status Active Active
Amplifier Type Voltage Feedback General Purpose
Number of Circuits 2 2
Output Type Rail-to-Rail Rail-to-Rail
Slew Rate 1V/µs 0.45V/µs
Gain Bandwidth Product 1 MHz 1.3 MHz
Current - Input Bias 1 nA 16 nA
Voltage - Input Offset 1.7 mV 100 µV
Supply Current 100µA (x2 Channels) 162µA
Current - Output / Channel 160 mA 160 mA
Voltage - Supply Span(Min) 2.7 V 2.7 V
Voltage - Supply Span(Max) 5.5 V 6 V
Operating Temperature -40°C ~ 85°C -40°C ~ 125°C
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Series - Automotive, AEC-Q100
比較モデル : LMV358DR2G LMV358IDT

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