LT1013DIDR vs LT1013DS8

LT1013DS8とLT1013DIDRの詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察が得られます。RoHS指令準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。詳細については、データシートを参照するか、当社の営業チームにお問い合わせください。お客様の設計に最適な部品の選択をお手伝いいたします。
仕様
LT1013DS8

+BOM

1875 個数 | テキサス・インスツルメンツ
LT1013DIDR

+BOM

6402 個数 | STマイクロエレクトロニクス
パッケージ
説明
Series LT® -
ProductStatus Active Active
AmplifierType General Purpose General Purpose
NumberofCircuits 2 2
SlewRate 0.4V/µs 0.4V/µs
GainBandwidthProduct 1 MHz 1 MHz
Current-InputBias 15 nA 18 nA
Voltage-InputOffset 60 µV 90 µV
Current-Supply 350µA (x2 Channels) 320µA (x2 Channels)
Current-Output/Channel 20 mA -
Voltage-SupplySpan(Min) 4 V 5 V
Voltage-SupplySpan(Max) 44 V 30 V
OperatingTemperature 0°C ~ 70°C -40°C ~ 105°C (TA)
MountingType Surface Mount Surface Mount
比較モデル : LT1013DS8 LT1013DIDR

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