LTC4446EMS8E#PBF vs LTC4419IMSE#PBF 比較

LTC4446EMS8E#PBFとLTC4419IMSE#PBFの詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察が得られます。RoHS指令準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。詳細については、データシートを参照するか、当社の営業チームにお問い合わせください。お客様の設計に最適な部品の選択をお手伝いいたします。

仕様

LTC4446EMS8E#PBF

+BOM

8802 個数 | テキサス・インスツルメンツ

LTC4419IMSE#PBF

+BOM

2049 個数 | テキサス・インスツルメンツ

パッケージ MSOP-8 MSOP-12

説明 IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8MSOP IC SOURCE SELECTOR SWITCH 12MSOP

Series - PowerPath™

Part Status Active Active

Type - Source Selector Switch

FET Type - N-Channel

Ratio - Input: Output - 2:1

Internal Switch(s) - Yes

Current - Output (Max) - 1.6A

Supply Current - 3.6 µA

Voltage - Supply 7.2V ~ 13.5V 1.8V ~ 18V

Applications - Battery Backup

Operating Temperature -40°C ~ 85°C -40°C ~ 85°C

Mounting Type Surface Mount Surface Mount

Driven Configuration Half-Bridge -

Channel Type Independent -

Number of Drivers 2 -

Gate Type N-Channel MOSFET -

Logic Voltage - VILVIH 1.85V, 3.25V -

Current - Peak Output(Source Sink) 2.5A, 3A -

Input Type Non-Inverting -

High Side Voltage - Max(Bootstrap) 114 V -

Rise / Fall Time(Typ) 8ns, 5ns -

比較モデル : LTC4446EMS8E#PBF LTC4419IMSE#PBF

+BOM 見積依頼

LTC4446EMS8E#PBF vs LTC4419IMSE#PBF 比較

関連

相関比較