LTC4446EMS8E#PBF vs LTC4441EMSE#PBF 比較

LTC4446EMS8E#PBFとLTC4441EMSE#PBFの詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察が得られます。RoHS指令準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。詳細については、データシートを参照するか、当社の営業チームにお問い合わせください。お客様の設計に最適な部品の選択をお手伝いいたします。

仕様

LTC4446EMS8E#PBF

+BOM

8802 個数 | テキサス・インスツルメンツ

LTC4441EMSE#PBF

+BOM

4865 個数 | リニアテクノロジー

パッケージ MSOP-8 MSOP-10

説明 IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8MSOP LTC4441 - 6A N-CHANNEL MOSFET DR

Part Status Active Obsolete

Driven Configuration Half-Bridge Low-Side

Channel Type Independent Single

Number of Drivers 2 1

Gate Type N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET

Voltage - Supply 7.2V ~ 13.5V 5V ~ 25V

Logic Voltage - VILVIH 1.85V, 3.25V 1.8V, 2V

Current - Peak Output(Source Sink) 2.5A, 3A 6A, 6A

Input Type Non-Inverting Non-Inverting

High Side Voltage - Max(Bootstrap) 114 V -

Rise / Fall Time(Typ) 8ns, 5ns 13ns, 8ns

Operating Temperature -40°C ~ 85°C -40°C ~ 125°C (TJ)

Mounting Type Surface Mount Surface Mount

比較モデル : LTC4446EMS8E#PBF LTC4441EMSE#PBF

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