LTC4446EMS8E#PBF vs LTC4444IMS8E#WPBF

LTC4446EMS8E#PBFとLTC4444IMS8E#WPBFの詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察が得られます。RoHS指令準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。詳細については、データシートを参照するか、当社の営業チームにお問い合わせください。お客様の設計に最適な部品の選択をお手伝いいたします。

仕様

LTC4446EMS8E#PBF

+BOM

8802 個数 | テキサス・インスツルメンツ

LTC4444IMS8E#WPBF

+BOM

5114 個数 | テキサス・インスツルメンツ

パッケージ MSOP-8 MSOP-E-8

説明 IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8MSOP IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8MSOP

Series - Automotive, AEC-Q100

ProductStatus Active Active

DrivenConfiguration Half-Bridge Half-Bridge

ChannelType Independent Independent

NumberofDrivers 2 2

GateType N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET

Voltage-Supply 7.2V ~ 13.5V 7.2V ~ 13.5V

LogicVoltage-VILVIH 1.85V, 3.25V 1.85V, 3.25V

Current-PeakOutput(SourceSink) 2.5A, 3A 2.5A, 3A

InputType Non-Inverting Non-Inverting

HighSideVoltage-Max(Bootstrap) 114 V 114 V

Rise/FallTime(Typ) 8ns, 5ns 8ns, 5ns

OperatingTemperature -40°C ~ 85°C -40°C ~ 125°C (TJ)

MountingType Surface Mount Surface Mount

比較モデル : LTC4446EMS8E#PBF LTC4444IMS8E#WPBF

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LTC4446EMS8E#PBF vs LTC4444IMS8E#WPBF

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