LTC4449IDCB vs LTC4413EDD-1#PBF

LTC4449IDCBとLTC4413EDD-1#PBFの詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察が得られます。RoHS指令準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。詳細については、データシートを参照するか、当社の営業チームにお問い合わせください。お客様の設計に最適な部品の選択をお手伝いいたします。
仕様
LTC4449IDCB

+BOM

1200 個数 | テキサス・インスツルメンツ
LTC4413EDD-1#PBF

+BOM

4868 個数 | テキサス・インスツルメンツ
パッケージ 8-WFDFN Exposed Pad 10-WFDFNExposedPad
説明 IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DFN IC OR CTRLR SRC SELECT 10DFN
ProductStatus Obsolete Active
Type - Source Selector Switch
FETType - P-Channel
Ratio-Input:Output - 2:1
InternalSwitch(s) - Yes
DelayTime-ON - 11 µs
DelayTime-OFF - 2 µs
Current-Output(Max) - 2.6A
Current-Supply - 40 µA
Voltage-Supply 4V ~ 6.5V 2.5V ~ 5.5V
Applications - Handheld/Mobile Devices
OperatingTemperature -40°C ~ 125°C (TJ) -40°C ~ 85°C
MountingType Surface Mount Surface Mount
DrivenConfiguration Half-Bridge -
ChannelType Synchronous -
NumberofDrivers 2 -
GateType N-Channel MOSFET -
LogicVoltage-VILVIH 3V, 6.5V -
Current-PeakOutput(SourceSink) 3.2A, 4.5A -
InputType Non-Inverting -
HighSideVoltage-Max(Bootstrap) 42 V -
Rise/FallTime(Typ) 8ns, 7ns -
比較モデル : LTC4449IDCB LTC4413EDD-1#PBF

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