MC33151DR2G vs MC33178D 比較

MC33151DR2GとMC33178Dの詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察が得られます。RoHS指令準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。詳細については、データシートを参照するか、当社の営業チームにお問い合わせください。お客様の設計に最適な部品の選択をお手伝いいたします。
仕様
MC33151DR2G

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6915 個数 | オンセミコンダクター社
MC33178D

+BOM

5917 個数 | オンセミコンダクター社
パッケージ SOIC-8 SOIC-8
説明 IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC IC OPAMP DUAL LOW PWR/NS 8-SOIC
Supplier - Rochester Electronics, LLC
Part Status Active Obsolete
Amplifier Type - General Purpose
Number of Circuits - 2
Slew Rate - 2V/µs
Gain Bandwidth Product - 5 MHz
Current - Input Bias - 100 nA
Voltage - Input Offset - 150 µV
Supply Current - 1.7mA (x2 Channels)
Current - Output / Channel - 100 mA
Voltage - Supply Span(Min) - 4 V
Voltage - Supply Span(Max) - 36 V
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 85°C (TA)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Driven Configuration Low-Side -
Channel Type Independent -
Number of Drivers 2 -
Gate Type N-Channel MOSFET -
Voltage - Supply 6.5V ~ 18V -
Logic Voltage - VILVIH 0.8V, 2.6V -
Current - Peak Output(Source Sink) 1.5A, 1.5A -
Input Type Inverting -
Rise / Fall Time(Typ) 31ns, 32ns -
比較モデル : MC33151DR2G MC33178D

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