MC33153DR2G vs MC33151DR2

MC33153DR2GとMC33151DR2の詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察を提供します。RoHS指令への準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで、部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

ISO9001 Quality Control ISO45001 ISO14001 100% Genuine
Part A

MC33153DR2G

オンセミコンダクター社

Lifecycle
Active
Stock
3220 個数
Package
SOIC-8
Series
PMIC - ゲートドライバ
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Part B

MC33151DR2

オンセミコンダクター社

Lifecycle
Active
Stock
8694 個数
Package
SOIC-8
Series
PMIC - ゲートドライバ
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Full specification comparison

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Specification MC33153DR2G MC33151DR2
Part Status Active Obsolete
Driven Configuration Low-Side Low-Side
Channel Type Single Independent
Number of Drivers 1 2
Gate Type IGBT, N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Voltage - Supply 11V ~ 20V 6.5V ~ 18V
Logic Voltage - VILVIH 1.2V, 3.2V 0.8V, 2.6V
Current - Peak Output(Source Sink) 1A, 2A 1.5A, 1.5A
Input Type Inverting Inverting
Rise / Fall Time(Typ) 17ns, 17ns 31ns, 32ns
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
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